Etude, applications et améliorations de la technique LVI sur les défauts rencontrés dans les technologies CMOS avancées 45nm et inférieur.

• Main Author: Celi, Guillaume
• Language: FRE
• Published: Université Sciences et Technologies - Bordeaux I 2013
• Subjects: [PHYS:COND:CM_GEN] Physics/Condensed Matter/Other; [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other; Analyse de défaillance; Localisation de défauts; Silicium; LVI; Thermoréflectance; TFI; Stimulation laser; Interaction laser/Silicium
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00904697; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/90/46/97/PDF/CELI_GUILLAUME_2013.pdf

L'analyse de défaillances joue un rôle important dans l'amélioration des performances et de la fabrication des circuits intégrés. Des défaillances peuvent intervenir à tout moment dans la chaîne d'un produit, que ce soit au niveau conception, durant la qualification du produit, lors de la production, ou encore lors de son utilisation. Il est donc important d'étudier ces défauts dans le but d'améliorer la fiabilité des produits. De plus, avec l'augmentation de la densité et de la complexité des puces, il est de plus en plus difficile de localiser les défauts, et ce malgré l'amélioration des techniques d'analyses. Ce travail de thèse s'inscrit dans ce contexte et vise à étudier et développer une nouvelle technique d'analyse de défaillance basée sur l'étude de l'onde laser réfléchie le "Laser Voltage Imaging" (LVI) pour l'analyse de défaillance des technologies ultimes (inférieur à 45nm).