Croissance électrochimique d'or à l'interface air/liquide

• Main Author: Saliba, Raphaël
• Language: FRE
• Published: Université Sciences et Technologies - Bordeaux I 2001
• Subjects: [PHYS:PHYS:PHYS_CHEM-PH] Physics/Physics/Chemical Physics; Electrochimie; Interface; Electrodéposition; cémentation; film de Langmuir; films métalliques; dépôts bidimensionnels; or; AuCl4- diméthyldioctadécylammonium; Electrochemical growth
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00819707; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/81/97/07/PDF/SALIBA_RAPHAEL_2001.pdf

La possibilité d'effectuer des dépôts par voie électrochimique est utilisée dans l'industrie notamment dans les procédés de revêtements métalliques. Cette méthode de réduction des ions est connue depuis longtemps et apparaît encore comme un outil prometteur de synthèse de nouveaux micro- ou nano-matériaux ayant une structure et une morphologie contrôlées. Dans ce contexte, nous avons étudié la croissance de films d'or au niveau de l'interface air/liquide d'une solution aqueuse d'ions tétrachloroaurates (AuCl4-). Ces dépôts métalliques sont obtenus par confinement des processus d'électrodéposition ou de cémentation dans cette zone de la solution. Pour cela, nous avons mis à profit une interaction électrostatique entre les anions métalliques en solution et un film monomoléculaire d'un tensioactif chargé positivement (le diméthyldioctadécylammonium). L'étude des processus électrochimiques a mis en évidence l'existence de deux potentiels de réduction des ions métalliques. L'un est associé à un processus de croissance "bidimensionnelle" le long de l'interface air/liquide. Il est directement lié à la présence de la monocouche. L'autre correspond au processus ayant lieu classiquement en solution: il conduit à un épaississement des dépôts. Nous avons alors montré qu'il est possible de contrôler le mode de croissance des films d'or entre propagation "bidimensionnelle" et épaississement tridimensionnel. De plus, la synthèse des dépôts par cémentation nous a permis de mettre en évidence l'influence de la pression de surface ainsi que de l'ajout d'ions chlorure sur la croissance des dépôts métalliques. Cet ajout de chlorure permet en particulier la formation de dépôts à l'aspect dendritique.