Défis liés à la réduction de la rugosité des motifs de résine photosensible 193 nm
A chaque nouvelle étape franchie dans la réduction des dimensions des dispositifs en microélectronique, de nouvelles problématiques sont soulevées. Parmi elles, la fluctuation de la longueur de la grille des transistors, aussi appelée rugosité de bord de ligne (LWR, pour "Line Width Roughness&q...
| Main Author: | |
|---|---|
| Language: | fra |
| Published: |
Université de Grenoble
2012
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00767820 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/76/78/20/PDF/24261_AZARNOUCHE_2012_archivage.pdf |
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