Propriétés de transport et de bruit à basse fréquence dans les structures à faible dimensionnalité

• Main Author: Jang, Do young
• Language: fra
• Published: Université de Grenoble 2011
• Subjects: [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other; [SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre; Transport électrique; Bruit à basse fréquence; Caractérisation électrique; Extraction de paramètres; Modélisation; Simulation; Transistors; Nanofils; FinFET; Transistor FET sans jonction; CNT; Graphene
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00767284; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/76/72/84/PDF/Jangd.pdf

Les propriétés électriques et physiques de structures à faible dimensionalité ont été étudiées pour des applications dans des domaines divers comme l'électronique, les capteurs. La mesure du bruit bruit à basse fréquence est un outil très utile pour obtenir des informations relatives à la dynamique des porteurs, au piègeage des charges ou aux mécanismes de collision. Dans cette thèse, le transport électronique et le bruit basse fréquence mesurés dans des structures à faible dimensionnalité comme les dispositifs multi-grilles (FinFET, JLT...), les nanofils 3D en Si/SiGe, les nanotubes de carbone ou à base de graphène sont présentés. Pour les approches " top-down " et " bottom-up ", l'impact du bruit est analysé en fonction de la dimensionalité, du type de conduction (volume vs surface), de la contrainte mécanique et de la présence de jonction metal-semiconducteur.