Caractérisations de matériaux et tests de composants des cellules solaires à base des nitrures des éléments III-V

• Main Author: Gorge, Vanessa
• Language: FRE
• Published: Université Paris Sud - Paris XI 2012
• Subjects: [PHYS:COND:CM_GEN] Physics/Condensed Matter/Other; Nitrure de gallium-indium; InGaN; Cellule solaire; Substrat; Spectrophotométrie; Raman; SSPC; Simulations; Modélisation; Scout; Silvaco; Réponse spectrale; Caractérisation courant-tension
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00707717; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/70/77/17/PDF/VD_GORGE_VANESSA_02052012.pdf

Parmi les nitrures III-V, le matériau InGaN a été intensément étudié depuis les années 2000 pour des applications photovoltaïques, en particulier pour des cellules multi-jonctions, grâce à son large gap modulable pouvant couvrir quasiment tout le spectre solaire. On pourrait alors atteindre de hauts rendements tout en assurant de bas coûts. Cependant, l'un des problèmes de l'InGaN est l'absence de substrat accordé en maille provoquant une grande densité de défauts et limitant ainsi les performances des composants. Nous avons donc étudié la faisabilité de cellules solaires simples jonctions à base d'InGaN sur des substrats alternatifs comme le silicium et le verre afin de baisser les coûts et d'avoir de larges applications. Afin d'adapter l'InGaN sur ces substrats alternatifs, nous avons utilisé une couche tampon en ZnO. Ce travail a été réalisé dans le cadre du projet ANR NewPVonGlass. Plus particulièrement, dans ce projet, mon travail avait pour objectifs de réaliser des caractérisations électriques et optiques des matériaux et des composants. Les deux premières parties de cette thèse introduisent le matériau InGaN et l'effet photovoltaïque. Les techniques de caractérisation utilisées sont expliquées dans le troisième chapitre. Ensuite, les résultats obtenus lors de la caractérisation cristalline du matériau InGaN sont présentés en fonction du substrat, de la concentration d'indium et de l'épaisseur de la couche. Puis, la cinquième partie développe les caractérisations des premières cellules à base d'InGaN sur saphir. Enfin, dans le dernier chapitre, des simulations de cellules solaires à base d'InGaN ont été réalisées. Le modèle développé nous a permis d'optimiser la structure et le dopage du composant et de déterminer les paramètres critiques. Nous montrons donc, dans ce travail, le développement d'une cellule solaire à base d'InGaN : des caractérisations des matériaux de base à celles des cellules solaires, en passant par la modélisation.