Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie

À l'heure actuelle, les modèles photochimiques utilisés dans la correction des effets de proximitéoptique (OPC) en photolithographie sont devenus complexes et moins physiques afin de permettre decapturer rapidement le maximum d'effets optiques et chimiques. La question de la stabilité de t...

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Main Author: Saied, Mazen
Language:fra
Published: Université de Grenoble 2011
Subjects:
OPC
DDM
M3D
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00682907
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/68/29/07/PDF/Saied_mazen_2011_archivage1.pdf
id ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-00682907
record_format oai_dc
spelling ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-006829072014-10-14T03:33:53Z http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00682907 2011GRENT079 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/68/29/07/PDF/Saied_mazen_2011_archivage1.pdf Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie Saied, Mazen [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other [SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre Photolithographie Effets de proximité optique OPC Modélisation Précision Stabilité Résine Système optique 193 nm Masque Champ proche Effets topographiques Effets 3D du masque Méthode perturbative Méthode multi-niveaux Kirchhoff DDM M3D À l'heure actuelle, les modèles photochimiques utilisés dans la correction des effets de proximitéoptique (OPC) en photolithographie sont devenus complexes et moins physiques afin de permettre decapturer rapidement le maximum d'effets optiques et chimiques. La question de la stabilité de tels modèlespurement empiriques est devenue d'actualité. Dans ce mémoire, nous avons étudié la stabilité desmodèles photochimiques actuels en examinant les différentes causes d'instabilité vis-à-vis des paramètresdu procédé. Dans la suite, nous avons développé une méthode perturbative permettant d'évaluer le critèrede la stabilité. L'obtention de modèles simples et stables nous conduit à séparer les effets optiques desautres effets chimiques. De plus, les approximations utilisées dans la modélisation des systèmes optiquesopérant à grande ouverture numérique entraînent des erreurs résiduelles pouvant dégrader la précisionet la stabilité des modèles OPC. Ainsi, nous nous sommes intéressés à étudier les limites de validitéde l'approximation de Kirchhoff, méthode qui, jusqu'à présent, est la plus utilisée dans la modélisationdu champ proche d'un masque. D'autres méthodes semi-rigoureuses, permettant de modéliser les effetstopographiques, ont été également évaluées. Ces méthodes approchées permettent de gagner en précisionmais dégradent le temps de calcul. Nous avons ainsi proposé différentes façons de corriger les effetstopographiques du masque, tout en gardant l'approximation de Kirchhoff dans la modélisation de la partieoptique. Parmi les méthodes proposées, nous exploitons celle permettant de réduire les erreurs liéesaux effets topographiques du masque par l'intermédiaire d'un second modèle empirique. Nous montronsque pour garantir une précision adéquate, il est nécessaire d'augmenter la complexité du modèle en rajoutantdes termes additionnels. Enfin, pour garantir la stabilité numérique du modèle empirique, nousintroduirons une nouvelle méthode approchée hybride rapide et précise, la méthode des multi-niveaux,permettant d'inclure les effets topographiques par décomposition multi-niveaux du masque fin et discuteronsses avantages et ses limites. 2011-09-30 fra PhD thesis Université de Grenoble
collection NDLTD
language fra
sources NDLTD
topic [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other
[SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre
Photolithographie
Effets de proximité optique
OPC
Modélisation
Précision
Stabilité
Résine
Système optique
193 nm
Masque
Champ proche
Effets topographiques
Effets 3D du masque
Méthode perturbative
Méthode multi-niveaux
Kirchhoff
DDM
M3D
spellingShingle [SPI:OTHER] Engineering Sciences/Other
[SPI:OTHER] Sciences de l'ingénieur/Autre
Photolithographie
Effets de proximité optique
OPC
Modélisation
Précision
Stabilité
Résine
Système optique
193 nm
Masque
Champ proche
Effets topographiques
Effets 3D du masque
Méthode perturbative
Méthode multi-niveaux
Kirchhoff
DDM
M3D
Saied, Mazen
Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
description À l'heure actuelle, les modèles photochimiques utilisés dans la correction des effets de proximitéoptique (OPC) en photolithographie sont devenus complexes et moins physiques afin de permettre decapturer rapidement le maximum d'effets optiques et chimiques. La question de la stabilité de tels modèlespurement empiriques est devenue d'actualité. Dans ce mémoire, nous avons étudié la stabilité desmodèles photochimiques actuels en examinant les différentes causes d'instabilité vis-à-vis des paramètresdu procédé. Dans la suite, nous avons développé une méthode perturbative permettant d'évaluer le critèrede la stabilité. L'obtention de modèles simples et stables nous conduit à séparer les effets optiques desautres effets chimiques. De plus, les approximations utilisées dans la modélisation des systèmes optiquesopérant à grande ouverture numérique entraînent des erreurs résiduelles pouvant dégrader la précisionet la stabilité des modèles OPC. Ainsi, nous nous sommes intéressés à étudier les limites de validitéde l'approximation de Kirchhoff, méthode qui, jusqu'à présent, est la plus utilisée dans la modélisationdu champ proche d'un masque. D'autres méthodes semi-rigoureuses, permettant de modéliser les effetstopographiques, ont été également évaluées. Ces méthodes approchées permettent de gagner en précisionmais dégradent le temps de calcul. Nous avons ainsi proposé différentes façons de corriger les effetstopographiques du masque, tout en gardant l'approximation de Kirchhoff dans la modélisation de la partieoptique. Parmi les méthodes proposées, nous exploitons celle permettant de réduire les erreurs liéesaux effets topographiques du masque par l'intermédiaire d'un second modèle empirique. Nous montronsque pour garantir une précision adéquate, il est nécessaire d'augmenter la complexité du modèle en rajoutantdes termes additionnels. Enfin, pour garantir la stabilité numérique du modèle empirique, nousintroduirons une nouvelle méthode approchée hybride rapide et précise, la méthode des multi-niveaux,permettant d'inclure les effets topographiques par décomposition multi-niveaux du masque fin et discuteronsses avantages et ses limites.
author Saied, Mazen
author_facet Saied, Mazen
author_sort Saied, Mazen
title Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
title_short Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
title_full Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
title_fullStr Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
title_full_unstemmed Etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
title_sort etude de la stabilité et de la précision des modèles utilisés dans la correction des effets de proximité optique en photolithographie
publisher Université de Grenoble
publishDate 2011
url http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00682907
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/68/29/07/PDF/Saied_mazen_2011_archivage1.pdf
work_keys_str_mv AT saiedmazen etudedelastabiliteetdelaprecisiondesmodelesutilisesdanslacorrectiondeseffetsdeproximiteoptiqueenphotolithographie
_version_ 1716716914443550720