Conception et caractérisation de diodes en SiC pour la détermination des coefficients d'ionisation
Le carbure de silicium (SiC) possède plusieurs propriétés exceptionnelles comme une large bande interdite, un champ électrique critique et une vitesse de saturation des porteurs élevée pour remplacer le silicium (Si) dans des domaines de fonctionnement jusque-là inaccessibles avec le Si. Un nombre i...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
INSA de Lyon
2011
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00679281 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/67/92/81/PDF/these.pdf |
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