Développement et élaboration par MOCVD de matériaux à changement de phase à base d'alliages GeTe : applications aux mémoires embarquées pour la microélectronique
Les mémoires à changement de phase électroniques (PCRAM) sont l'un des candidats les plus prometteurs pour la prochaine génération de mémoires non-volatiles. Cette technologie présente cependant deux inconvénients majeurs : un temps de rétention de l'information court pour des températures...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Grenoble
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00668137 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/81/37/PDF/ThA_se_Gourvest_2010.pdf |