Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique

Les progrès réalisés dans la microélectronique répondent à la problématique de la réduction des coûts de production et celle de la recherche de nouveaux marchés. Ces progrès sont possibles notamment grâce à ceux effectués en lithographie optique par projection, le procédé lithographique principaleme...

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Main Author: Top, Mame Kouna
Language:ENG
Published: Université de Grenoble 2011
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Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00667130
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/71/30/PDF/Mame-Kouna_TOP_ThA_se.pdf
id ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-00667130
record_format oai_dc
spelling ndltd-CCSD-oai-tel.archives-ouvertes.fr-tel-006671302013-01-07T17:15:24Z http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00667130 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/71/30/PDF/Mame-Kouna_TOP_ThA_se.pdf Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique Top, Mame Kouna [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Microélectroniques Photolithographie OPC (Correction des effets de proximité optique) Modèle Résine Métrologie Valeurs aberrantes Ensemble d'apprentissage Validation de modèles Modélisation de données Les progrès réalisés dans la microélectronique répondent à la problématique de la réduction des coûts de production et celle de la recherche de nouveaux marchés. Ces progrès sont possibles notamment grâce à ceux effectués en lithographie optique par projection, le procédé lithographique principalement utilisé par les industriels. La miniaturisation des circuits intégrés n'a donc été possible qu'en poussant les limites d'impression lithographique. Cependant en réduisant les largeurs des transistors et l'espace entre eux, on augmente la sensibilité du transfert à ce que l'on appelle les effets de proximité optique au fur et à mesure des générations les plus avancées de 45 et 32 nm de dimension de grille de transistor. L'utilisation des modèles OPC est devenue incontournable en lithographie optique, pour les nœuds technologiques avancés. Les techniques de correction des effets de proximité (OPC) permettent de garantir la fidélité des motifs sur plaquette, par des corrections sur le masque. La précision des corrections apportées au masque dépend de la qualité des modèles OPC mis en œuvre. La qualité de ces modèles est donc primordiale. Cette thèse s'inscrit dans une démarche d'analyse et d'évaluation des modèles résine OPC qui simulent le comportement de la résine après exposition. La modélisation de données et l'analyse statistique ont été utilisées pour étudier ces modèles résine de plus en plus empiriques. Outre la fiabilisation des données de calibrage des modèles, l'utilisation des plateformes de création de modèles dédiées en milieu industriel et la méthodologie de création et de validation des modèles OPC ont également été étudié. Cette thèse expose le résultat de l'analyse des modèles résine OPC et propose une nouvelles méthodologie de création, d'analyse et de validation de ces modèles. 2011-01-12 ENG PhD thesis Université de Grenoble
collection NDLTD
language ENG
sources NDLTD
topic [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Microélectroniques
Photolithographie
OPC (Correction des effets de proximité optique)
Modèle Résine
Métrologie
Valeurs aberrantes
Ensemble d'apprentissage
Validation de modèles
Modélisation de données
spellingShingle [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Microélectroniques
Photolithographie
OPC (Correction des effets de proximité optique)
Modèle Résine
Métrologie
Valeurs aberrantes
Ensemble d'apprentissage
Validation de modèles
Modélisation de données
Top, Mame Kouna
Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
description Les progrès réalisés dans la microélectronique répondent à la problématique de la réduction des coûts de production et celle de la recherche de nouveaux marchés. Ces progrès sont possibles notamment grâce à ceux effectués en lithographie optique par projection, le procédé lithographique principalement utilisé par les industriels. La miniaturisation des circuits intégrés n'a donc été possible qu'en poussant les limites d'impression lithographique. Cependant en réduisant les largeurs des transistors et l'espace entre eux, on augmente la sensibilité du transfert à ce que l'on appelle les effets de proximité optique au fur et à mesure des générations les plus avancées de 45 et 32 nm de dimension de grille de transistor. L'utilisation des modèles OPC est devenue incontournable en lithographie optique, pour les nœuds technologiques avancés. Les techniques de correction des effets de proximité (OPC) permettent de garantir la fidélité des motifs sur plaquette, par des corrections sur le masque. La précision des corrections apportées au masque dépend de la qualité des modèles OPC mis en œuvre. La qualité de ces modèles est donc primordiale. Cette thèse s'inscrit dans une démarche d'analyse et d'évaluation des modèles résine OPC qui simulent le comportement de la résine après exposition. La modélisation de données et l'analyse statistique ont été utilisées pour étudier ces modèles résine de plus en plus empiriques. Outre la fiabilisation des données de calibrage des modèles, l'utilisation des plateformes de création de modèles dédiées en milieu industriel et la méthodologie de création et de validation des modèles OPC ont également été étudié. Cette thèse expose le résultat de l'analyse des modèles résine OPC et propose une nouvelles méthodologie de création, d'analyse et de validation de ces modèles.
author Top, Mame Kouna
author_facet Top, Mame Kouna
author_sort Top, Mame Kouna
title Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
title_short Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
title_full Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
title_fullStr Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
title_full_unstemmed Analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
title_sort analyse des modèles résine pour la correction des effets de proximité en lithographie optique
publisher Université de Grenoble
publishDate 2011
url http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00667130
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/71/30/PDF/Mame-Kouna_TOP_ThA_se.pdf
work_keys_str_mv AT topmamekouna analysedesmodelesresinepourlacorrectiondeseffetsdeproximiteenlithographieoptique
_version_ 1716395377414897664