Croissance sélective d'InP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-Butyle de chlore (TBCl). Application à la réalisation de modulateurs électro-optiques à base de GaInAsP et d'AlGaInAs sur substrat InP
La fabrication de modulateurs electroabsorbants fonctionnant à 40 GBits/s de type SIBH ( Semi-Insulating Buried Heterostructure) à base de GaInAsP ou D'AlGaInAs sur substrat d'InP et enterrés dans de l'InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques (MOVP...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Blaise Pascal - Clermont-Ferrand II
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00666985 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/66/69/85/PDF/2005CLF21576.pdf |