Etude ab initio des alignements de bandes dans les empilements Métal-Oxyde-Semiconducteur
L'échec des modèles pour prévoir l'alignement de bandes dans un empilement MOS (métal-oxyde-semiconducteur) rend utile et intéressant une étude à l'échelle atomique. Nous exposons deux théories ab initio: d'abord la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT), dont dépendent...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
INSA de Rennes
2008
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00639024 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/63/90/24/PDF/These.pdf |