Elaboration d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'applications électroniques : de la croissance cristalline au composant.

Elaboration d'hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d'applications électroniques : de la croissance cristalline au composant.

Les matériaux semiconducteurs jouent aujourd'hui un grand rôle dans les dispositifs électroniques et optoélectroniques. En particulier, qu'il s'agisse des télécommunications par voies Hertziennes ou Microondes, sur Terre ou en liaison avec des satellites, ou encore de radars ou de ges...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Cordier, Yvon
Language:	FRE
Published:	Université de Nice Sophia-Antipolis 2007
Subjects:	[PHYS:COND] Physics/Condensed Matter nirures d'éléments III épitaxie transistors
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00588722 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/58/87/22/PDF/HDR_Yvon_CORDIER.pdf

Similar Items

Croissance et caractérisation de nanofils de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AIN
by: Hestroffer, Karine
Published: (2012)

Croissance d'hétérostructures à base de GaN sur substrat de silicium orienté (001): applications aux transistors à haute mobilité d'électrons
by: Joblot, Sylvain, et al.
Published: (2007)

Croissance et caractérisation de nanofils de GaN et d'hétérostructures filaires de GaN/AIN
by: Hestroffer, Karine
Published: (2012)

Ingénierie des défauts cristallins pour l’obtention de GaN semi-polaire hétéroépitaxié de haute qualité en vue d’applications optoélectroniques
by: Tendille, Florian
Published: (2015)

Croissance d'hétérostructures non-polaires de GaN/AlN plan m sur 6h-SiC plan m
by: Amstatt, Benoît
Published: (2008)

Résonateurs MEMS à base d’hétérostructures AlGaN/GaN
by: Ben Amar, Achraf
Published: (2012)

AlGaN quantum dots grown by molecular beam epitaxy for ultraviolet light emitting diodes
by: Matta, Samuel
Published: (2018)

Etude de la croissance et des propriétés de films minces d'AlN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium
by: Moreno, Jean-Christophe
Published: (2009)

Microscopie à Emission d'Electrons Balistiques (BEEM): étude des propriétés électroniques locales d'hétérostructures
by: Guézo, Sophie
Published: (2009)

Optimisation, fabrication et caractérisation d’un capteur de gaz à base d’hétérostructure AlGaN/GaN HEMT pour des applications automobiles
by: Halfaya, Yacine
Published: (2016)

Nanostructures Al(Ga)N/GaN pour l'optoélectronique intersousbande dans l'infrarouge proche et moyen
by: Kandaswamy, Prem Kumar
Published: (2010)

Croissance de nanofils InGaN pour les dispositifs de récupération d’énergie photovoltaïques et piézoélectriques
by: Morassi, Martina
Published: (2018)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
by: Haruka Matsuura, et al.
Published: (2019-04-01)

Relaxation des contraintes dans les hétérostructures épaisses (Al,Ga)N : une piste originale pour la réalisation de diodes électroluminscentes à cavité résonante
by: Bethoux, Jean-Marc
Published: (2004)

Croissance épitaxiale et propriétés magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge pour des applications en électronique de spin.
by: Spiesser, Aurelie
Published: (2011)

Caractérisation électrique d’hétérostructures AlGaN/GaN pour des applications de puissance
by: Lehmann, Jonathan
Published: (2015)

Croissance de nanofils de ZnO et d'hétérostructures coeur-coquilles ZnO/ZnMgO par MOVPE
by: Thierry, Robin
Published: (2011)

Nitrures semiconducteurs III-V : croissance, transport électronique et applications aux transistors
by: Mouillet, Robert
Published: (2004)

Croissance de GaN sur silicium micro- et nano-structuré
by: Gommé, Guillaume
Published: (2014)

Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium
by: Baron, Nicolas
Published: (2009)

Croissance, propriétés optiques et intégration d'hétérostructures radiales InGaN/GaN autour de fils auto-assemblés de GaN crûs sur saphir et silicium
by: Salomon, Damien
Published: (2013)

Croissance par épitaxie par jets moléculaires et caractérisation optique d'hétérostructures de nanofils GaN/AlGaN émettant dans l'ultraviolet
by: Belloeil, Matthias
Published: (2017)

Détection et Emission Terahertz par les ondes de plasma dans des transistors HEMT à base d'hétérostructures GaN/AlGaN et InGaAs/InAlAs
by: El Fatimy, Abdelouahad
Published: (2007)

Deep Ultraviolet Light Emitters Based on (Al,Ga)N/GaN Semiconductor Heterostructures
by: Liang, Yu-Han
Published: (2017)

Etude des propriétés électriques et optiques d'hétérostructures Si/CaF2 déposées sur des substrats de Si(111)
by: Guirleo, Guillaume
Published: (2002)

Etude de l'épitaxie sélective de GaN/saphir et GaN/GaN-MOVPE par HVPE. Application à la croissance de structure périodiques de faible dimensionnalité
by: Tourret, Julie
Published: (2008)

STRUCTURE LOCALE DES NITRURES D'ELEMENTS III-V GaAsN ET InGaAsN ET EFFETS DES TRAITEMENTS POST-CROISSANCE
by: Ciatto, Gianluca
Published: (2004)

Croissance d'hétérostructures III-V sur des couches tampons de SrTiO3/Silicium
by: Chettaoui, Azza
Published: (2013)

In-Situ Preparation of GaN Sacrificial Layers on Sapphire Substrate in MOVPE Reactor for Self-Separation of the Overgrown GaN Crystal
by: Sepideh Faraji, et al.
Published: (2020-11-01)

The epitaxial growth of GaN and A1GaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors (HFET) on Lithium Gallate (LiGaO₂) substrates
by: Kang, Sangbeom
Published: (2007)

Defect Structure Determination of GaN Films in GaN/AlN/Si Heterostructures by HR-TEM, XRD, and Slow Positrons Experiments
by: Vladimir Lucian Ene, et al.
Published: (2020-01-01)

MBE growth and characterization of GaN film
by: Zhu, Wenkai, et al.
Published: (2015)

Croissance et caractérisation de nanofils/microfils de GaN
by: Coulon, Pierre-Marie
Published: (2014)

EPITAXIE DE SYSTEMES METALLIQUES SUR Si(001) : Croissance du cuivre et structures à anisotropie magnétique perpendiculaire (Cu/Ni et FePd)
by: Meunier, Anthony
Published: (2005)

Analyse et conception d'un outil de coupe pour la valorisation des sous produits d'élagage des haies : démarche intégrée d'innovation et de prototypage
by: Rougié, Alexandre
Published: (2009)

Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN
by: Chikhaoui, Walf
Published: (2011)

Etude des mécanismes physiques responsables des dysfonctionnements des transistors HEMTs à base d'hétérostructures AlGaN/GaN et AlInN/GaN
by: Chikhaoui, Walf
Published: (2011)

Influence of Showerhead–Sample Distance (GAP) in MOVPE Close Coupled Showerhead Reactor on GaN Growth
by: Robert Czernecki, et al.
Published: (2019-10-01)

Properties of double p+-InP/n-InGaAsP/n-InP heterojunctions obtained by LPE method
by: Vakiv N. M., et al.
Published: (2012-04-01)

Croissance épitaxiale de GaAs sur substrats de Ge par épitaxie par faisceaux chimiques
by: Bélanger, Simon
Published: (2010)