Le transistor MOSFET en commutation : Application aux associations série et parallèle de composants à grille isolée

• Main Author: Jeannin, Pierre-Olivier
• Language: FRE
• Published: 2001
• Subjects: [SPI] Engineering Sciences; MOSFET; IGBT; Diode PIN; Mise en série; Mise en parallèle; Cellule de Commutation; Modélisation
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00549773; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/54/97/73/PDF/These_PO_JEANNIN.pdf

L'augmentation des puissances commutées en électronique de puissance passe par l'association de composants élémentaires en série et en parallèle. Cette association se retrouve à différentes échelles: au sein des modules du commerce ou au niveau de l'association de modules dans un convertisseur statique. Les travaux dans ce domaine ne sont pas nouveaux, puisque de nombreux problèmes nuisant à l'association série ou parallèle ont été rencontrés dans le passé. Le but de cette thèse n'est pas de redécouvrir ces problèmes, ni leurs solutions, mais plutôt, par une étude systématique de la' commutation, de mieux comprendre les phénomènes intervenant dans une association de composants à grille isolée. L'originalité de cette étude est qu'elle s'intéresse aux semiconducteurs dans leur environnement. Des règles ont ainsi pu être dégagées permettant une meilleure répartition des contraintes électriques entre les composants. Pour la mise en parallèle, le rôle du câblage a été mis en évidence, et pour la mise en série, un circuit d'équilibrage actif a été proposé, se basant sur les acteurs principaux de la commutation