Modélisation physique et simulation de défauts étendus et diffusion des dopants dans le Si, Soi et SiGe pour les MOS avancés
Dans les transistors MOS avancés, la réalisation de jonctions ultraminces (<15 nm) abruptes et fortement dopées par implantation ionique de dopant reste la voie privilégiée pour l'élaboration des extensions source/drain (S/D). Cependant, au cours du recuit d'activation, cette méthode s&...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2010
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00509153 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/91/53/PDF/these_bazizi_30juin_2010.pdf |