Étude par Epitaxie en Phase Vapeur aux OrganoMétalliques de la croissance sélective de Nano-Hétéro-Structures de matériaux à base de GaN.
La nano-structuration de matériaux semiconducteurs à grand gap à base de GaN fait l'objet d'un très grand intérêt de par son potentiel pour l'élaboration de composants optoélectroniques innovants émettant dans la gamme spectrale de l'ultraviolet (190-340nm). Le contrôle de la cro...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université de Metz
2009
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00457306 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/45/73/06/PDF/these-JeromeMartin2009-VF.pdf |