Métallisation des mémoires Flash à base de NiSi et d'éléments d'alliages

L'objectif de cette étude est de regarder l'influence du Pt sur la formation des siliciures de Ni dans le procédé Salicide et en particulier sur la phase basse résistivité NiSi, envisagée par l'industrie pour réaliser les contacts avec les zones actives de transistors de type Flash. P...

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Bibliographic Details
Main Author: Ehouarne, Loeizig
Language:FRE
Published: Université Paul Cézanne - Aix-Marseille III 2008
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00408377
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/40/83/77/PDF/These_L_Ehouarne_vfinale.pdf

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