Étude de la transition de Mott dans V2O3 dopé avec chrome par mesures de la vitesse du son et du pouvoir thermoélectrique

• Main Author: Populoh, Sascha
• Language: ENG
• Published: Université Paris Sud - Paris XI 2009
• Subjects: [PHYS:COND] Physics/Condensed Matter; transition métal-isolant; transition de Mott; systèmes fortement corrélés; vitesse du son; pouvoir thermoélectrique; haute pression; oxyde de vanadium
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00406473; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/40/64/73/PDF/Sascha_Populoh_Thesis_corrected.pdf

Cette thèse présente une étude expérimentale de la transition de Mott dans V2O3 dopé au chrome par deux différentes techniques expérimentales entre la température ambiante à 500 K et sous pressions jusqu'à 6 kbar. La technique ultrasonore fournit une mesure directe de la compressibilité et a été utilisé pour estimer les effets de la réseau sur la transition de Mott. Nous avons été en mesure de mener la première étude systématique de l'influence des degrés de liberté du réseau sur la transition de Mott dans V2O3. On a vérifiée l'existence d'une température électronique critique Tel c qui diffère de l'ordre de 3% ou 4% par rapport à la température de transition effectivement observée Tc. L'observation du comportement du mode transverse de la vitesse du son a permis de conclure que la transition de Mott à haute température a lieu sans brisure de symétrie et le paramètre d'ordre est un scalaire. Dans la deuxième partie de la thèse l'évolution de coefficient du Seebeck a été étudiée dans les mêmes conditions expérimentales. Les études autour du point critique nous ont permis d'établir un diagramme de phase expérimentale. Nous avons montré que le changement de S à la transition est dominé par le changement de la résistivité plutôt que par le changement de la symétrie particule-trou. En conséquence, nous avons pu relier les lois d'échelle pour les paramètres critiques relatifs à la conductivité à nos données. Dans le voisinage de la transition nos données sont assez bien reproduites par les exposants de champ moyen observés dans les mesures de conductivité.