Diffusion des dopants dans les dispositifs de la microélectronique : codiffusion de l'arsenic et du phosphore dans le silicium, étude unidimensionnelle et bidimensionnelle.
La diffusion des dopants du Si dans les dispositifs de la microélectronique a été étudiée en 1 et 2 dimensions. Les effets de codiffusion de l'As et du P ont été caractérisés dans le but de la fabrication des « sources » et « drains » des dernières technologies de transistors (90 nm). Nous obse...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Cézanne - Aix-Marseille III
2008
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00353687 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/35/36/87/PDF/PhD_Nico.pdf |