Modélisation de l'effet tunnel à un électron dans les dispositifs à nanocristaux semiconducteurs : effet tunnel à un électron assisté par phonon

Dans le cadre d'une étude sur les dispositifs à nanocristaux (NC) de silicium, tels que les mémoires flash à nanocristaux et le transistor à un électron, ce travail de thèse a pour objectif de modéliser avec précision le transport d'électrons par effet tunnel entre deux nanocristaux ; cela...

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Bibliographic Details
Main Author: Valentin, Audrey
Language:FRE
Published: Université Paris Sud - Paris XI 2008
Subjects:
Online Access:http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00350414
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/35/04/14/PDF/TheseAV.pdf
http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/35/04/14/ANNEX/Soutenance3.ppt

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