Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium: théorie de la Fonctionnelle de la Densité et Monte Carlo cinétique

Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium: théorie de la Fonctionnelle de la Densité et Monte Carlo cinétique

La tendance permanente à la réduction des dimensions des composants de la microélectronique mène à la fabrication de couches d'oxydes de plus en plus fines. Afin de poursuivre cette miniaturisation, le recours à la caractérisation de ces couches, impliquant la connaissance parfaite de l'in...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Hemeryck, Anne
Language:	FRE
Published:	Université Paul Sabatier - Toulouse III 2008
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Oxydation du silicium Interface Si/SiO2 Simulation Ab Initio Simulation Monte Carlo Simulation des procédés
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00319658 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/31/96/58/PDF/AnneHEMERYCK_These_NB.pdf

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