Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium: théorie de la Fonctionnelle de la Densité et Monte Carlo cinétique
La tendance permanente à la réduction des dimensions des composants de la microélectronique mène à la fabrication de couches d'oxydes de plus en plus fines. Afin de poursuivre cette miniaturisation, le recours à la caractérisation de ces couches, impliquant la connaissance parfaite de l'in...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paul Sabatier - Toulouse III
2008
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00319658 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/31/96/58/PDF/AnneHEMERYCK_These_NB.pdf |