Physique de la déflexion picoseconde par réseaux photoinduits dans les semiconducteurs

Notre travail s'intègre dans les recherches actuelles sur la continuité optique du traitement et du transport de l'information. Une des techniques visant à assurer cette continuité optique consiste à réaliser une commutation de voies par déflexion holographique. Nous avons étudié théorique...

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Main Author: Grac, Rodolphe
Language:FRE
Published: INSA de Toulouse 1996
Subjects:
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collection NDLTD
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sources NDLTD
topic [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Réseaux transitoires
Multipuits quantiques
Efficacité de diffraction
Cavité Fabry-Pérot
Queue de Urbach
Ecrantage
Optique nonlinéaire
Déflexion picoseconde
spellingShingle [SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics
Réseaux transitoires
Multipuits quantiques
Efficacité de diffraction
Cavité Fabry-Pérot
Queue de Urbach
Ecrantage
Optique nonlinéaire
Déflexion picoseconde
Grac, Rodolphe
Physique de la déflexion picoseconde par réseaux photoinduits dans les semiconducteurs
description Notre travail s'intègre dans les recherches actuelles sur la continuité optique du traitement et du transport de l'information. Une des techniques visant à assurer cette continuité optique consiste à réaliser une commutation de voies par déflexion holographique. Nous avons étudié théoriquement et expérimentalement la déflexion d'impulsions laser d'une durée voisine de 20 picosecondes par des réseaux photoinduits dans les semiconducteurs. Après avoir décrit et caractérisé les dispositifs expérimentaux, nous présentons les performances de deux matériaux massifs II-VI, CdZnTe (à la longueur d'onde 0,8micron) et HgCdTe (à la longueur d'onde 1,5micron). Dans le domaine spectral de la queue d'Urbach, l'efficacité de diffraction au premier ordre atteint sept pour cent pour les deux matériaux. L'ensemble des résultats expérimentaux est expliqué par un modèle basé sur l'écrantage statique des microchamps électriques locaux dus aux phonons LO. Dans un second temps, nous étudions les réseaux plasma photogénérés dans des puits quantiques InGaAs / InGaAsP inclus dans une cavité de Fabry-Pérot. Les résultats sont comparés à une modélisation prenant en compte les effets de cavité. Ceux-ci induisent une amplification du signal diffracté dont les limites sont discutées. Nous présentons enfin des résultats de modulation de transmission optique dans des puits quantiques CdTe / CdZnTe sous polarisation externe. Nous montrons que les porteurs photogénérés écrantent le champ électrique appliqué produisant ainsi une variation d'absorption par disparition de l'effet Stark dans les puits. Après avoir introduit des coefficients de mérite, nous comparons les performances des différentes structures.
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