Croissance métamorphique par Epitaxie par Jets Moléculaires et caractérisations physiques pour Transistor Bipolaire à Hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs
Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction fonctionnent à hautes fréquences sous des tensions d'environ 5V, en particulier dans le système de matériaux InP/InGaAs. Il est souhaitable d'obtenir ces performances non pas sur InP mais sur GaAs, substrat plus robuste, disponible en taille supé...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00070835 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/07/08/35/PDF/THESE_IEMN_eLEFEBVRE_MetaHBT.pdf |