Nitrures semiconducteurs III-V : croissance, transport électronique et applications aux transistors

Nitrures semiconducteurs III-V : croissance, transport électronique et applications aux transistors

Le potentiel des matériaux Ga(In,Sb)AsN pour les applications transistors est évalué. Une étude RHEED est d'abord menée en fonction de la concentration d'azote et de la température pour fixer les conditions de croissance. Ensuite, la présence de pièges électroniques dont le nombre représen...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Mouillet, Robert
Language:	FRE
Published:	Université Pierre et Marie Curie - Paris VI 2004
Subjects:	[PHYS:COND] Physics/Condensed Matter Semiconducteurs III-V Epitaxie par jets moléculaire Effet Hall Spectroscopie infrarouge Nitrures Transistors
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011499 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/05/71/42/PDF/mouillet2004.pdf

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