Nitrures semiconducteurs III-V : croissance, transport électronique et applications aux transistors
Le potentiel des matériaux Ga(In,Sb)AsN pour les applications transistors est évalué. Une étude RHEED est d'abord menée en fonction de la concentration d'azote et de la température pour fixer les conditions de croissance. Ensuite, la présence de pièges électroniques dont le nombre représen...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI
2004
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011499 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/05/71/42/PDF/mouillet2004.pdf |