Elaboration et caractérisation de couches de germanium épitaxié sur silicium pour la réalisation d'un photodétecteur en guide d'ondes
Pour pallier la limitation des interconnexions métalliques dans les circuits intégrés CMOS, une des solutions envisagées est d'introduire des interconnexions optiques. L'objet de cette thèse était la réalisation de photodétecteurs Ge intégrés en bout de guides d'onde sur substrats sil...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Paris Sud - Paris XI
2004
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| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00011385 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/05/48/08/PDF/these_HALBWAX.pdf |