Transistors bipolaires à hétérojonction: Développement d'une filière InP/GaAsSb pour application ultra-rapides
Cette thèse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)de la filière InP ayant une base en GaAsSb. Une méthode de mesure précise des offsets des<br />hétérojonctions de type II par électroluminescence, associée aux mesures électriques a permis de clarifier...
| Main Author: | |
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| Language: | FRE |
| Published: |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI
2005
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| Subjects: | |
| Online Access: | http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010627 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/90/69/PDF/tel-00010627.pdf http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/90/69/ANNEX/tel-00010627.pdf |