Transistors bipolaires à hétérojonction: Développement d'une filière InP/GaAsSb pour application ultra-rapides

• Main Author: Lijadi, Melania
• Language: FRE
• Published: Université Pierre et Marie Curie - Paris VI 2005
• Subjects: [PHYS:COND] Physics/Condensed Matter; TBH; InP/GaAsSb; gravure chimique; contact ohmique; TLM; FCTLM; procédé de fabrication; électroluminescence; offset de bande
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00010627; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/90/69/PDF/tel-00010627.pdf; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/90/69/ANNEX/tel-00010627.pdf

Cette thèse est un des premiers travaux sur les transistors bipolaires à hétérojonction (TBH)de la filière InP ayant une base en GaAsSb. Une méthode de mesure précise des offsets des<br />hétérojonctions de type II par électroluminescence, associée aux mesures électriques a permis de clarifier les conditions du transport électronique dans le système InP/GaAsSb et d'initier l'utilisation d'un émetteur en InGaAlAs. Deux briques technologiques spécifiques ont été développées : la gravure chimique sélective de InGaAlAs par rapport à GaAsSb et la réalisation de contacts ohmiques très faiblement résistifs sur p-GaAsSb. Ceci a permis l'assemblage d'un procédé de fabrication de TBH ultra-rapides dans cette filière. La faisabilité de ce procédé a été démontrée par la réalisation de TBH submicroniques ayant des fréquences ( fT ; fmax) de (155 ; 162) GHz. Son optimisation, protégée par deux brevets, montre des perspectives pour atteindre des fréquences ( fT ; fmax) de (380 ; 420) GHz.