Modélisation et caractérisation de transistors MOS appliquées à l'étude de la programmation et du vieillissement de l'oxyde tunnel des mémoires EEPROM

Modélisation et caractérisation de transistors MOS appliquées à l'étude de la programmation et du vieillissement de l'oxyde tunnel des mémoires EEPROM

Les mémoires volatiles représentent aujourd'hui 30% du marché des mémoires à semi-conducteurs. La tendance générale actuelle consiste à mettre au point des produits nomades capables d'emmagasiner et de restituer une grande quantité d'informations en peu de temps et pouvant fonctionner...

Full description

Bibliographic Details
Main Author:	Razafindramora, Juliano
Language:	FRE
Published:	Université de Provence - Aix-Marseille I 2004
Subjects:	[SPI:NANO] Engineering Sciences/Micro and nanotechnologies/Microelectronics Transistor MOS EEPROM Effet Tunnel Fowler-Nordheim Fiabilité Endurance Rétention
Online Access:	http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00009378 http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/80/95/PDF/tel-00009378.pdf

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