Technologie FeRAM : fiabilité et mécanismes de défaillance de condensateurs ferroélectriques élémentaires et intégrés

• Main Author: Menou, Nicolas
• Language: FRE
• Published: Université du Sud Toulon Var 2004
• Subjects: [PHYS:COND] Physics/Condensed Matter; [PHYS:PHYS] Physics/Physics; Mémoire ferroélectrique FeRAM; Condensateur 3D; Fiabilité; Fatigue; Imprint; Analyse microstructurale; Irradiation X; SBT; PZT
• Online Access: http://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00008576; http://tel.archives-ouvertes.fr/docs/00/04/77/74/PDF/tel-00008576.pdf

Le développement industriel de la technologie FeRAM (assurant non volatilité, accès rapide et faible consommation) est aujourd'hui limité par la fiabilité du condensateur ferroélectrique intégré. Le travail de thèse, axé sur la compréhension de ses modes de défaillance, a consisté à associer des analyses électriques et microstructurales sur des condensateurs élémentaires, des véhicules de test et des composants. La dégradation des propriétés ferroélectriques de condensateurs élémentaires, sous stresses électriques, a été corrélée à leurs évolutions microstructurales. L'irradiation X s'est également avérée un facteur accélérateur de cette dégradation. Sur les objets technologiques avancés, les techniques synchrotron et la microscopie électronique, associées aux tests de fiabilité, ont permis de corréler les modes de défaillance à la nature du condensateur, à sa géométrie (planaire ou 3D) et aux étapes technologiques utilisées.