Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées
Nous avons déterminé la pression locale dans des nanocristaux de CdS/ZnS grâce à la phosphorescence de l'ion manganèse. Cet élément dopant a été placé suivant des positions radiales contrôlées dans une coque de ZnS formée couches par couches. Les mesures de pression expérimentales sont remarqua...
Main Author: | |
---|---|
Language: | FRE |
Published: |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI
2010
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Subjects: | |
Online Access: | http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00538570 http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/53/85/70/PDF/Sandrine_Ithurria_Lhuillier_-_final.pdf |
id |
ndltd-CCSD-oai-pastel.archives-ouvertes.fr-pastel-00538570 |
---|---|
record_format |
oai_dc |
spelling |
ndltd-CCSD-oai-pastel.archives-ouvertes.fr-pastel-005385702013-01-07T17:51:36Z http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00538570 http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/53/85/70/PDF/Sandrine_Ithurria_Lhuillier_-_final.pdf Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées Ithurria Lhuillier, Sandrine [PHYS:PHYS:PHYS_ATOM-PH] Physics/Physics/Atomic Physics Nanocristaux – Semiconducteurs – nanoplaquettes – dopage – puits quantiques – fluorescence – modèle k.p Nous avons déterminé la pression locale dans des nanocristaux de CdS/ZnS grâce à la phosphorescence de l'ion manganèse. Cet élément dopant a été placé suivant des positions radiales contrôlées dans une coque de ZnS formée couches par couches. Les mesures de pression expérimentales sont remarquablement proches de celles déterminées en utilisant le modèle simple de mécanique d'une sphère élastique isotrope. Ainsi le modèle de la sphère élastique isotrope peut servir à la compréhension de certains phénomènes observés tels que les changements de phases cristallines, ou la rupture sous contraintes de certaines coques et peut permettre une meilleure conception des nanoparticules coeur/coque. Dans un deuxième temps, nous avons mis au point la synthèse de puits quantiques colloïdaux de CdSe, CdS et CdTe. L'épaisseur de ces nanoparticules est contrôlée à la monocouche atomique près et elles présentent des propriétés physiques exceptionnelles. Nous citerons, notamment, leur émission avec des largeurs à mi-hauteur de l'ordre de kT à température ambiante. Enfin, nous montrons qu'il est possible d'étendre latéralement ces nanoparticules et le modèle k.p appliqué aux puits quantiques permet de revenir aux vraies épaisseurs des nanoplaquettes et de vérifier les paramètres physiques pour les trois matériaux. 2010-10-25 FRE PhD thesis Université Pierre et Marie Curie - Paris VI |
collection |
NDLTD |
language |
FRE |
sources |
NDLTD |
topic |
[PHYS:PHYS:PHYS_ATOM-PH] Physics/Physics/Atomic Physics Nanocristaux – Semiconducteurs – nanoplaquettes – dopage – puits quantiques – fluorescence – modèle k.p |
spellingShingle |
[PHYS:PHYS:PHYS_ATOM-PH] Physics/Physics/Atomic Physics Nanocristaux – Semiconducteurs – nanoplaquettes – dopage – puits quantiques – fluorescence – modèle k.p Ithurria Lhuillier, Sandrine Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
description |
Nous avons déterminé la pression locale dans des nanocristaux de CdS/ZnS grâce à la phosphorescence de l'ion manganèse. Cet élément dopant a été placé suivant des positions radiales contrôlées dans une coque de ZnS formée couches par couches. Les mesures de pression expérimentales sont remarquablement proches de celles déterminées en utilisant le modèle simple de mécanique d'une sphère élastique isotrope. Ainsi le modèle de la sphère élastique isotrope peut servir à la compréhension de certains phénomènes observés tels que les changements de phases cristallines, ou la rupture sous contraintes de certaines coques et peut permettre une meilleure conception des nanoparticules coeur/coque. Dans un deuxième temps, nous avons mis au point la synthèse de puits quantiques colloïdaux de CdSe, CdS et CdTe. L'épaisseur de ces nanoparticules est contrôlée à la monocouche atomique près et elles présentent des propriétés physiques exceptionnelles. Nous citerons, notamment, leur émission avec des largeurs à mi-hauteur de l'ordre de kT à température ambiante. Enfin, nous montrons qu'il est possible d'étendre latéralement ces nanoparticules et le modèle k.p appliqué aux puits quantiques permet de revenir aux vraies épaisseurs des nanoplaquettes et de vérifier les paramètres physiques pour les trois matériaux. |
author |
Ithurria Lhuillier, Sandrine |
author_facet |
Ithurria Lhuillier, Sandrine |
author_sort |
Ithurria Lhuillier, Sandrine |
title |
Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
title_short |
Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
title_full |
Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
title_fullStr |
Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
title_full_unstemmed |
Synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs II-VI de géométries contrôlées |
title_sort |
synthèses et caractérisations de nanoparticules de semiconducteurs ii-vi de géométries contrôlées |
publisher |
Université Pierre et Marie Curie - Paris VI |
publishDate |
2010 |
url |
http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00538570 http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/53/85/70/PDF/Sandrine_Ithurria_Lhuillier_-_final.pdf |
work_keys_str_mv |
AT ithurrialhuilliersandrine synthesesetcaracterisationsdenanoparticulesdesemiconducteursiividegeometriescontrolees |
_version_ |
1716397235345817600 |