Etats électroniques localisés dans a-Si1-xCx:H massif et poreux: Spectroscopie IR et photoluminescence.
Dans les semiconducteurs amorphes, les propriétés macroscopiques sont déterminées par les états localisés. La spectroscopie IR photomodulée nous a permis de faire une étude originale des états localisés dans ce matériau. Nous avons étudié l'absorption IR photomodulée de a-Si1-xCx:H. L'anal...
Main Author: | Rerbal, Kamila |
---|---|
Language: | FRE |
Published: |
Ecole Polytechnique X
2004
|
Subjects: | |
Online Access: | http://pastel.archives-ouvertes.fr/pastel-00000809 http://pastel.archives-ouvertes.fr/docs/00/50/33/53/PDF/Rerbal_Kamila.pdf |
Similar Items
-
Etudes des propriétés opto-électroniques de structures et de composants à base de nanostructures de Si
by: DE LA TORRE, Jorge
Published: (2003) -
Photoluminescence Techniques for the Characterization of Photovoltaic Interfaces
by: Xu, Ming
Published: (2016) -
Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium localisés, réalisés par gravure électrochimique pour des applications nanoélectroniques
by: Ayari-Kanoun, Asma
Published: (2011) -
Etude des effets d'irradiation dans le polytype cubique du carbure de silicium par les techniques spectroscopiques de photoluminescence et de résonance paramagnétique électronique.
by: Lefevre, Jérémie
Published: (2008) -
Études et développement de transistors bipolaires Si/SiGe : C rapides dans un nœud BiCMOS 55 nm
by: Canderle, Élodie
Published: (2014)