مطالعه ویژگی های الکتریکی نانوکامپوزیت های هیبریدی NiO/PVCبه عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستور
در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش جریان نشتی و نفوذ اتمبور از گیت دی الکتریک فرانازک را به همراه داشته است مواد نان...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Alzahra University
2012-11-01
|
| Series: | فیزیک کاربردی ایران |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jap.alzahra.ac.ir/article_1188_7d8003aa3a55083b04cd27eb4c610a50.pdf |