مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها،...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	محمد حسین احسانی, محمود جلالی مهرآباد
Format:	Article
Language:	fas
Published:	Alzahra University 2017-08-01
Series:	فیزیک کاربردی ایران
Subjects:	تبخیر شیمیایی نرخ رشد فیلم نازک شبیه سازی
Online Access:	https://jap.alzahra.ac.ir/article_3523_ecb31f363d92e161307cc9d130a46f31.pdf

id	doaj-f10e8e036d4a4794b57cdea42c26d490
record_format	Article
spelling	doaj-f10e8e036d4a4794b57cdea42c26d4902021-06-20T08:04:45ZfasAlzahra Universityفیزیک کاربردی ایران2783-10432783-10512017-08-017152210.22051/jap.2018.7508.10143523مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیاییمحمد حسین احسانی0محمود جلالی مهرآباد1هیات علمیکارشناسدر این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی از قبیل سرعت شار بخار، فشار آن و توزیع دما درون محفظه لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفته و به منظور مطالعه و تحلیل، نتایج آن به صورت نمودارهای مناسب ارائه گردید. همچنین وابستگی دمای زیر لایه روی نرخ رشد ماده و الگوی توزیع جرم در نمونه لایه نازک بررسی گردید. با مقایسه ی نتایج شبیه سازی و داده های آزمایشگاهی، علاوه بر بررسی دقت مدل ارائه شده می توان توصیفی مناسب از ارتباط بین نرخ تشکیل لایه با دمای زیر لایه را یافت.https://jap.alzahra.ac.ir/article_3523_ecb31f363d92e161307cc9d130a46f31.pdfتبخیر شیمیایینرخ رشدفیلم نازکشبیه سازی
collection	DOAJ
language	fas
format	Article
sources	DOAJ
author	محمد حسین احسانی محمود جلالی مهرآباد
spellingShingle	محمد حسین احسانی محمود جلالی مهرآباد مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی فیزیک کاربردی ایران تبخیر شیمیایی نرخ رشد فیلم نازک شبیه سازی
author_facet	محمد حسین احسانی محمود جلالی مهرآباد
author_sort	محمد حسین احسانی
title	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
title_short	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
title_full	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
title_fullStr	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
title_full_unstemmed	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی
title_sort	مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک gaas به روش تبخیر شیمیایی
publisher	Alzahra University
series	فیزیک کاربردی ایران
issn	2783-1043 2783-1051
publishDate	2017-08-01
description	در این کار، شبیه سازی رشد لایه ی نازکGaAs به کمک روش تبخیر شیمیایی در محیط نرم افزار COMSOL Multiphysics انجام گردیده است. به منظور مقایسه نتایج شبیه سازی با نتایج تجربی، تمامی جزییات شبیه سازی و واکنش های مربوط به تشکیل GaAs بر مبنای یک آزمایش تجربی و نتایج آن صورت گرفت.جزئیات مراحل تعریف واکنش ها، طراحی محفظه، مطالعه روابط شیمیایی و ترمودینامیکی مربوطه و تحلیل مش ها شرح داده شد. پارامتر هایی از قبیل سرعت شار بخار، فشار آن و توزیع دما درون محفظه لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفته و به منظور مطالعه و تحلیل، نتایج آن به صورت نمودارهای مناسب ارائه گردید. همچنین وابستگی دمای زیر لایه روی نرخ رشد ماده و الگوی توزیع جرم در نمونه لایه نازک بررسی گردید. با مقایسه ی نتایج شبیه سازی و داده های آزمایشگاهی، علاوه بر بررسی دقت مدل ارائه شده می توان توصیفی مناسب از ارتباط بین نرخ تشکیل لایه با دمای زیر لایه را یافت.
topic	تبخیر شیمیایی نرخ رشد فیلم نازک شبیه سازی
url	https://jap.alzahra.ac.ir/article_3523_ecb31f363d92e161307cc9d130a46f31.pdf
work_keys_str_mv	AT mḥmdḥsynạḥsạny mdlsạzywsẖbyhsạzyạtẖrdmạyzyrlạyhbrwạḵnsẖhạysṭḥydrrsẖdfylmnạzḵgaasbhrwsẖtbkẖyrsẖymyạyy AT mḥmwdjlạlymhrậbạd mdlsạzywsẖbyhsạzyạtẖrdmạyzyrlạyhbrwạḵnsẖhạysṭḥydrrsẖdfylmnạzḵgaasbhrwsẖtbkẖyrsẖymyạyy
_version_	1721370742963044352

مدل سازی و شبیه سازی اثر دمای زیر لایه بر واکنش های سطحی در رشد فیلم نازک GaAs به روش تبخیر شیمیایی

Similar Items