| Summary: | En este trabajo se muestran los resultados obtenidos del estudio del crecimiento electroquímico y caracterización de películas delgadas del semiconductor CdTe. El crecimiento se realizó mediante la electrodeposición catódica a potencial constante a partir de soluciones acuosas alcalinas de las especies precursoras TeO3(2-) y Cd2+ y EDTA como agente acomplejante para el Cd2+. La composición de las películas se determinó por espectroscopía de emisión atómica con plasma inductivamente acoplado (AES-ICP) y espectroscopia de dispersión de rayos X (EDX). Estudios realizados por espectroscopía de reflectancia UV-visible y fotovoltametría, permitieron determinar que las películas CdTe electrodepositadas presentan un comportamiento de semiconductor tipo p y un valor de brecha energética de 1,64 eV.
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