Estudo e caracterização de filme fino de CdTe obtido por eletrodeposição
Este trabalho apresenta o estudo e a caracterização de filme fino de CdTe obtido através do processo eletrolítico de deposição. O filme de CdTe foi eletrodepositado sob diferentes valores de potencial sobre substrato de Ti. Para este efeito, utilizaram-se as técnicas de voltametria cíclica, de micro...
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Language: | Portuguese |
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Universidade de Fortaleza
2011-06-01
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Series: | Revista Tecnologia |
Online Access: | https://periodicos.unifor.br/tec/article/view/4549 |
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doaj-ece5330a6bc34dd7aa3013a04e01ff732020-11-25T03:11:57ZporUniversidade de FortalezaRevista Tecnologia 0101-81912318-07302011-06-0132148553509Estudo e caracterização de filme fino de CdTe obtido por eletrodeposiçãoFrancisco Anderson de Sousa LimaEste trabalho apresenta o estudo e a caracterização de filme fino de CdTe obtido através do processo eletrolítico de deposição. O filme de CdTe foi eletrodepositado sob diferentes valores de potencial sobre substrato de Ti. Para este efeito, utilizaram-se as técnicas de voltametria cíclica, de microscopia eletrônica de varredura (MEV), de espectroscopia de análise da energia dispersiva por raios-X (EDX) e difratometria de raios-X (DR-X). É verificado que os filmes depositados nos diferentes potenciais apresentam aspecto morfológico semelhante, em forma globular. Foi constatado que, em valores de potencial de deposição menores que -200 mV, ocorre a deposição de estrutura dendrítica. Todavia, este fato não ocorre para valores de potencial igual a -150, -165 e -180 mV. A análise por EDX revelou que a razão estequiométrica atômica Cd/Te é de 1:1. É verificado que o filme de CdTe apresenta apenas a fase CdTe; tem-se os picos de difração associados aos planos (111) e (311) de maiores intensidades relativas, indicando certa orientação preferencial de crescimento do eletrodepósito. Pode-se concluir que na eletrodeposição de CdTe tem-se a forte influência do potencial, caracterizando a formação de filme fino em -180 mV. E, por outro lado, é constatado que os eletrodepósitos crescidos nos diferentes valores de potencial apresentam orientação de crescimento preferencial.https://periodicos.unifor.br/tec/article/view/4549 |
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Este trabalho apresenta o estudo e a caracterização de filme fino de CdTe obtido através do processo eletrolítico de deposição. O filme de CdTe foi eletrodepositado sob diferentes valores de potencial sobre substrato de Ti. Para este efeito, utilizaram-se as técnicas de voltametria cíclica, de microscopia
eletrônica de varredura (MEV), de espectroscopia de análise da energia dispersiva por raios-X (EDX) e difratometria de raios-X (DR-X). É verificado que os filmes depositados nos diferentes potenciais apresentam aspecto morfológico semelhante, em forma globular. Foi constatado que, em
valores de potencial de deposição menores que -200 mV, ocorre a deposição de estrutura dendrítica. Todavia, este fato não ocorre para valores de potencial igual a -150, -165 e -180 mV. A análise por EDX revelou que a razão estequiométrica atômica Cd/Te é de 1:1. É verificado que o filme de CdTe apresenta apenas a fase CdTe; tem-se os picos de difração associados aos planos (111) e (311) de maiores intensidades relativas, indicando certa orientação preferencial de crescimento do eletrodepósito. Pode-se concluir que na eletrodeposição de CdTe tem-se a forte influência do potencial, caracterizando a formação de filme fino em -180 mV. E, por outro lado, é constatado que os eletrodepósitos crescidos nos diferentes valores de potencial apresentam orientação de crescimento preferencial. |
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