Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai

<p>Pastaruoju metu naujų elektronikos prietaisų gamyboje buvo pasiekta didelė pažanga auginant, tyrinėjant ir pritaikant plonasluoksnes struktūras, sudarytas i&scaron; įvairių daugiakomponenčių funkcinių oksidų. &Scaron;iai oksidų grupei priklauso superlaidieji kupratai, mangano oksida...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Bonifacas VENGALIS, Kristina ŠLIUŽIENĖ
Format: Article
Language:English
Published: Kaunas University of Technology 2011-11-01
Series:Medžiagotyra
Subjects:
Online Access:http://matsc.ktu.lt/index.php/MatSc/article/view/769
id doaj-eacf6191541e4c9abc9c6c729ec9e25b
record_format Article
collection DOAJ
language English
format Article
sources DOAJ
author Bonifacas VENGALIS
Kristina ŠLIUŽIENĖ
spellingShingle Bonifacas VENGALIS
Kristina ŠLIUŽIENĖ
Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
Medžiagotyra
thin film growth
manganites
heterostructures
organic semiconductor
Alq3
interface engineering
electrical resistance
magnetoresistance
author_facet Bonifacas VENGALIS
Kristina ŠLIUŽIENĖ
author_sort Bonifacas VENGALIS
title Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
title_short Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
title_full Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
title_fullStr Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
title_full_unstemmed Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
title_sort įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniai
publisher Kaunas University of Technology
series Medžiagotyra
issn 1392-1320
2029-7289
publishDate 2011-11-01
description <p>Pastaruoju metu naujų elektronikos prietaisų gamyboje buvo pasiekta didelė pažanga auginant, tyrinėjant ir pritaikant plonasluoksnes struktūras, sudarytas i&scaron; įvairių daugiakomponenčių funkcinių oksidų. &Scaron;iai oksidų grupei priklauso superlaidieji kupratai, mangano oksidai (manganitai), pasižymintys magnetovaržos rei&scaron;kiniu, taip pat kiti feromagnetiniai, feroelektriniai, multiferoiniai oksidai.</p> <p>Manganitams (jų bendra formulė Ln<sub>1-x</sub>A<sub>x</sub>MnO<sub>3</sub>, kur Ln&nbsp;=&nbsp;La, Nd,..., o A - dvivalentis katijonas, toks kaip Ba, Sr ar Ca) skiriama daug dėmesio dėl jų įdomių elektrinių savybių bei tinkamumo įvairiems spintronikos prietaisams kurti. Multiferoikai&nbsp; (feroelektriniai feromagnetai) pasižymi magnetoelektriniu efektu, duodančiu unikalią galimybę elektrinėms ir magnetinėms medžiagos savybėms valdyti panaudoti elektrinius ir magnetinius laukus. Bismuto feritas BiFeO<sub>3</sub> (BFO), turintis romboedri&scaron;kai deformuotą perovskito struktūrą, &scaron;iuo metu yra vienas labiausiai tyrinėjamų &scaron;ios klasės junginių. Organiniai puslaidininkiai (OP) taip pat atveria daug naujų galimybių elektronikai. Jų prana&scaron;umas yra didelė organinių junginių įvairovė ir palyginti paprasta ir pigi plonų sluoksnių gamybos technologija. Be to, OP pasižymi neįprastai didelėmis sukinių relaksacijos laiko vertėmis, todėl ateityje jie gali būti naudojami naujiems spintronikos prietaisams gaminti.</p> <p>&Scaron;iame straipsnyje apžvelgiami pastarųjų metų darbo autorių ir jų kolegų atlikti anksčiau minėtų medžiagų tyrimai. Daugiausia dėmesio skiriama magnetovaržinėmis savybėmis pasižyminčių lantano ir mangano oksidų (manganitų) bei multiferoinio&nbsp; BiFeO<sub>3</sub> (BFO) junginio plonųjų sluoksnių ir heterodarinių auginimui, tarpfazinių ribų tarp minėtų oksidų, laidžiojo SrTiO<sub>3</sub>&lt;Nb&gt; ir organinio puslaidininkio (Alq3) sudarymui, taip pat elektrinėms heterodarinių savybėms.</p> <p>Plonieji La<sub>2/3</sub>A<sub>1/3</sub>MnO<sub>3</sub> (A&nbsp;=&nbsp;Ca, Sr, Ba, Ce) sluoksniai, kurių storis <em>d</em>&nbsp;@&nbsp;(100&cedil;200)&nbsp;nm, buvo auginami&nbsp; magnetroninio dulkinimo būdu ant elektrai laidžių Nb legiruotų SrTiO<sub>3&nbsp; </sub>padėklų, kurių temperatūra auginimo metu siekė 700<sub>&nbsp;</sub>&deg;C<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>750<sub>&nbsp;</sub>&deg;C. Užauginti sluoksniai &nbsp;buvo papildomai prisotinami deguonies atkaitinant juos deguonies atmosferoje (<em>P</em><sub>O2</sub> @ 10<sup>5</sup> Pa). BiFeO<sub>3</sub> (BFO) ir Bi<sub>0.9</sub>Nd<sub>0.1</sub>FeO<sub>3</sub> (BNFO) sluoksniai (<em>d</em>&nbsp;@&nbsp;200&nbsp;nm<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>250&nbsp;nm) buvo auginami kintamosios srovės (RF) magnetroninio garinimo būdu ant SrTiO<sub>3</sub>(100), ZrO<sub>2</sub>&lt;Y&gt; (YSZ) , SrTiO<sub>3</sub>(100)&lt;Nb&gt; (STON) bei n- Si(111) padėklų&nbsp; esant 650<sub>&nbsp;</sub>&deg;C<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>700<sub>&nbsp;</sub>&deg;C temperatūrai ir Ar/O<sub>2</sub> (1:1) dujų mi&scaron;inio slėgiui <em>P</em>&nbsp;=&nbsp;6&nbsp;Pa<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>10&nbsp;Pa. Rentgeno difrakcijos tyrimai parodė, kad užauginti BNFO sluoksniai yra vienfaziai ir jų kristalografinės (100) plok&scaron;tumos yra lygiagrečios su padėklo pavir&scaron;iumi. Organinio Alq3 puslaidininkio sluoksniai (<em>d</em>&nbsp;@&nbsp;100&nbsp;nm<sub>&nbsp;</sub>&divide;<sub>&nbsp;</sub>300&nbsp;nm) buvo gaminami terminio garinimo būdu vakuume (<em>p</em>&nbsp;&raquo;&nbsp;4&acute;10<sup>-6</sup>&nbsp;Torr). Heterodarinių elektrinėms charakteristikoms matuoti pro specialią diafragmą magnetroninio dulkinimo būdu buvo suformuojami (2&acute;2)&nbsp;mm<sup>2</sup> ploto metaliniai (Ag, Au) elektrodai. Visais atvejais matuojant heterodarinių voltamperines charakteristikas per bandinius tekančios srovės kryptis buvo statmena padėklo plok&scaron;tumai.</p> <p>Heterodarinių elektrinės bei magnetovaržinės savybės buvo tiriamos plačiame temperatūrų ruože (78&nbsp;K<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>400&nbsp;K). Darinių, sudarytų i&scaron; manganito sluoksnio ant laidaus SrTiO<sub>3</sub>&lt;Nb&gt; padėklo, voltamperinės charakteristikos tiek kambario, tiek azoto temperatūroje buvo netiesinės ir nesimetrinės, t. y. pasižymėjo puslaidininkiniam diodui būdingomis lyginimo savybėmis. Priklausomai nuo srovės dydžio ir krypties buvo i&scaron;matuotos&nbsp; tiek neigiamos, tiek teigiamos jų magnetovaržos vertės. Alq3/LSMO darinių voltamperinės charakteristikos nedaug priklausė nuo srovės krypties, tačiau jų magnetovaržos vertės buvo palyginti didelės&nbsp; (apie 11 %,&nbsp; kai <em>T&nbsp;</em>=&nbsp;240 K ir <em>B&nbsp;</em>=&nbsp;1 T).</p> <p>Netiesinės elektrinės heterodarinių savybės buvo paai&scaron;kintos naudojant įvairius teorinius modelius, t.<sub>&nbsp;</sub>y. Shottky tipo termojoninę emisiją, krūvio tuneliavimą per sanglaudos ribą ir erdvinio krūvio ribotas sroves.</p> Netiesinės ir ry&scaron;kios Ag/(BFO, BNFO)/STON darinių lyginimo savybės parodė, kad kambario temperatūroje jų elektrines savybes gerai paai&scaron;kina Shottky sandūros modelis, o temperatūrai žemėjant iki 78&nbsp;K, vis didesnę įtaką įgauna erdvinio krūvio ribotos srovės. Krūvininkų judėjimas Alq3/p-Si dariniuose buvo modeliuojamas įskaitant vyraujančią termojoninės emisijos įtaką Shottky tipo sandūroje, o Alq3/LSMO darinių netiesinėms elektrinėms savybėms ai&scaron;kinti buvo panaudotas krūvio tuneliavimo per sanglaudą bei erdvinio krūvio ribotų srovių modelis.&nbsp;<p><a href="http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.769">http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.769</a></p>
topic thin film growth
manganites
heterostructures
organic semiconductor
Alq3
interface engineering
electrical resistance
magnetoresistance
url http://matsc.ktu.lt/index.php/MatSc/article/view/769
work_keys_str_mv AT bonifacasvengalis ivairialyciailantanoirmanganooksidoirmultiferoiniobismutoferitoheterodariniai
AT kristinasliuziene ivairialyciailantanoirmanganooksidoirmultiferoiniobismutoferitoheterodariniai
_version_ 1725281788980363264
spelling doaj-eacf6191541e4c9abc9c6c729ec9e25b2020-11-25T00:42:33ZengKaunas University of TechnologyMedžiagotyra1392-13202029-72892011-11-0117435235710.5755/j01.ms.17.4.769659Įvairialyčiai lantano ir mangano oksido ir multiferoinio bismuto ferito heterodariniaiBonifacas VENGALIS0Kristina ŠLIUŽIENĖ1Semiconductor Physics InstituteSemiconductor Physics Institute<p>Pastaruoju metu naujų elektronikos prietaisų gamyboje buvo pasiekta didelė pažanga auginant, tyrinėjant ir pritaikant plonasluoksnes struktūras, sudarytas i&scaron; įvairių daugiakomponenčių funkcinių oksidų. &Scaron;iai oksidų grupei priklauso superlaidieji kupratai, mangano oksidai (manganitai), pasižymintys magnetovaržos rei&scaron;kiniu, taip pat kiti feromagnetiniai, feroelektriniai, multiferoiniai oksidai.</p> <p>Manganitams (jų bendra formulė Ln<sub>1-x</sub>A<sub>x</sub>MnO<sub>3</sub>, kur Ln&nbsp;=&nbsp;La, Nd,..., o A - dvivalentis katijonas, toks kaip Ba, Sr ar Ca) skiriama daug dėmesio dėl jų įdomių elektrinių savybių bei tinkamumo įvairiems spintronikos prietaisams kurti. Multiferoikai&nbsp; (feroelektriniai feromagnetai) pasižymi magnetoelektriniu efektu, duodančiu unikalią galimybę elektrinėms ir magnetinėms medžiagos savybėms valdyti panaudoti elektrinius ir magnetinius laukus. Bismuto feritas BiFeO<sub>3</sub> (BFO), turintis romboedri&scaron;kai deformuotą perovskito struktūrą, &scaron;iuo metu yra vienas labiausiai tyrinėjamų &scaron;ios klasės junginių. Organiniai puslaidininkiai (OP) taip pat atveria daug naujų galimybių elektronikai. Jų prana&scaron;umas yra didelė organinių junginių įvairovė ir palyginti paprasta ir pigi plonų sluoksnių gamybos technologija. Be to, OP pasižymi neįprastai didelėmis sukinių relaksacijos laiko vertėmis, todėl ateityje jie gali būti naudojami naujiems spintronikos prietaisams gaminti.</p> <p>&Scaron;iame straipsnyje apžvelgiami pastarųjų metų darbo autorių ir jų kolegų atlikti anksčiau minėtų medžiagų tyrimai. Daugiausia dėmesio skiriama magnetovaržinėmis savybėmis pasižyminčių lantano ir mangano oksidų (manganitų) bei multiferoinio&nbsp; BiFeO<sub>3</sub> (BFO) junginio plonųjų sluoksnių ir heterodarinių auginimui, tarpfazinių ribų tarp minėtų oksidų, laidžiojo SrTiO<sub>3</sub>&lt;Nb&gt; ir organinio puslaidininkio (Alq3) sudarymui, taip pat elektrinėms heterodarinių savybėms.</p> <p>Plonieji La<sub>2/3</sub>A<sub>1/3</sub>MnO<sub>3</sub> (A&nbsp;=&nbsp;Ca, Sr, Ba, Ce) sluoksniai, kurių storis <em>d</em>&nbsp;@&nbsp;(100&cedil;200)&nbsp;nm, buvo auginami&nbsp; magnetroninio dulkinimo būdu ant elektrai laidžių Nb legiruotų SrTiO<sub>3&nbsp; </sub>padėklų, kurių temperatūra auginimo metu siekė 700<sub>&nbsp;</sub>&deg;C<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>750<sub>&nbsp;</sub>&deg;C. Užauginti sluoksniai &nbsp;buvo papildomai prisotinami deguonies atkaitinant juos deguonies atmosferoje (<em>P</em><sub>O2</sub> @ 10<sup>5</sup> Pa). BiFeO<sub>3</sub> (BFO) ir Bi<sub>0.9</sub>Nd<sub>0.1</sub>FeO<sub>3</sub> (BNFO) sluoksniai (<em>d</em>&nbsp;@&nbsp;200&nbsp;nm<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>250&nbsp;nm) buvo auginami kintamosios srovės (RF) magnetroninio garinimo būdu ant SrTiO<sub>3</sub>(100), ZrO<sub>2</sub>&lt;Y&gt; (YSZ) , SrTiO<sub>3</sub>(100)&lt;Nb&gt; (STON) bei n- Si(111) padėklų&nbsp; esant 650<sub>&nbsp;</sub>&deg;C<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>700<sub>&nbsp;</sub>&deg;C temperatūrai ir Ar/O<sub>2</sub> (1:1) dujų mi&scaron;inio slėgiui <em>P</em>&nbsp;=&nbsp;6&nbsp;Pa<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>10&nbsp;Pa. Rentgeno difrakcijos tyrimai parodė, kad užauginti BNFO sluoksniai yra vienfaziai ir jų kristalografinės (100) plok&scaron;tumos yra lygiagrečios su padėklo pavir&scaron;iumi. Organinio Alq3 puslaidininkio sluoksniai (<em>d</em>&nbsp;@&nbsp;100&nbsp;nm<sub>&nbsp;</sub>&divide;<sub>&nbsp;</sub>300&nbsp;nm) buvo gaminami terminio garinimo būdu vakuume (<em>p</em>&nbsp;&raquo;&nbsp;4&acute;10<sup>-6</sup>&nbsp;Torr). Heterodarinių elektrinėms charakteristikoms matuoti pro specialią diafragmą magnetroninio dulkinimo būdu buvo suformuojami (2&acute;2)&nbsp;mm<sup>2</sup> ploto metaliniai (Ag, Au) elektrodai. Visais atvejais matuojant heterodarinių voltamperines charakteristikas per bandinius tekančios srovės kryptis buvo statmena padėklo plok&scaron;tumai.</p> <p>Heterodarinių elektrinės bei magnetovaržinės savybės buvo tiriamos plačiame temperatūrų ruože (78&nbsp;K<sub>&nbsp;</sub>-<sub>&nbsp;</sub>400&nbsp;K). Darinių, sudarytų i&scaron; manganito sluoksnio ant laidaus SrTiO<sub>3</sub>&lt;Nb&gt; padėklo, voltamperinės charakteristikos tiek kambario, tiek azoto temperatūroje buvo netiesinės ir nesimetrinės, t. y. pasižymėjo puslaidininkiniam diodui būdingomis lyginimo savybėmis. Priklausomai nuo srovės dydžio ir krypties buvo i&scaron;matuotos&nbsp; tiek neigiamos, tiek teigiamos jų magnetovaržos vertės. Alq3/LSMO darinių voltamperinės charakteristikos nedaug priklausė nuo srovės krypties, tačiau jų magnetovaržos vertės buvo palyginti didelės&nbsp; (apie 11 %,&nbsp; kai <em>T&nbsp;</em>=&nbsp;240 K ir <em>B&nbsp;</em>=&nbsp;1 T).</p> <p>Netiesinės elektrinės heterodarinių savybės buvo paai&scaron;kintos naudojant įvairius teorinius modelius, t.<sub>&nbsp;</sub>y. Shottky tipo termojoninę emisiją, krūvio tuneliavimą per sanglaudos ribą ir erdvinio krūvio ribotas sroves.</p> Netiesinės ir ry&scaron;kios Ag/(BFO, BNFO)/STON darinių lyginimo savybės parodė, kad kambario temperatūroje jų elektrines savybes gerai paai&scaron;kina Shottky sandūros modelis, o temperatūrai žemėjant iki 78&nbsp;K, vis didesnę įtaką įgauna erdvinio krūvio ribotos srovės. Krūvininkų judėjimas Alq3/p-Si dariniuose buvo modeliuojamas įskaitant vyraujančią termojoninės emisijos įtaką Shottky tipo sandūroje, o Alq3/LSMO darinių netiesinėms elektrinėms savybėms ai&scaron;kinti buvo panaudotas krūvio tuneliavimo per sanglaudą bei erdvinio krūvio ribotų srovių modelis.&nbsp;<p><a href="http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.769">http://dx.doi.org/10.5755/j01.ms.17.4.769</a></p>http://matsc.ktu.lt/index.php/MatSc/article/view/769thin film growthmanganitesheterostructuresorganic semiconductorAlq3interface engineeringelectrical resistancemagnetoresistance