ÇALIŞMA GERİLİMİ (KIRILMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMİŞ ANAHTAR DEVRESİNİN E SINIFI GÜÇ YÜKSELTEÇLERİNE UYGULANMASI

• Main Author: Mustafa SÖNMEZ
• Format: Article
• Language: English
• Published: Pamukkale University 1998-02-01
• Series: Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
• Subjects: Class-E; Supply voltage; Breakdown voltage; E sınıfı; Çalışma gerilimi; Kırılma gerilimi
• Online Access: http://dergipark.org.tr/pajes/issue/20545/218941?publisher=pamukkale
• ISSN: 1300-7009; 2147-5881

E sınıfı güç yükselteci, anahtar olarak çalışan bir transistör (ya da FET) ve rezonans devresinden oluşmaktadır.Bu yükselteçlerde güç, anahtar olarak çalışan transistörün akım kapasitesine ve çalışma gerilimine bağımlıdır. Transistörün dayanma gerilimi, fiziki yapısına bağlı olduğundan, yükseltecin gücünü arttırmak için transistörün dayanabileceği maksimum akım sınırına kadar çıkılmaktadır. Akımın arttırılışı ise, rezonans devresinden dolayı ters indüksiyonun artmasına neden olduğundan, transistörü zorlayan ters gerilim problem oluşturmaktadır. Bu çalışmada, dayanma gerilimi arttırılmış transistör bağlantısının E sınıfı güç yükselteçlerine uygulanması gerçekleştirilmiştir. Bu sayede, transistörü zorlayan ters gerilim problem olmaktan çıkarıldığı gibi, yükseltecin besleme gerilimi iki katına çıkarılarak yükselteç gücü ve verimi arttırılmıştır.