| Summary: | <p class="IsiAbstrakIndo">Modifikasi skema mekanisme <em>Heat Assisted Magnetic Recording</em> (HAMR) adalah sistem magnetisasi berbantukan panas untuk menurunkan medan <em>switching</em> telah dilakukan. Bahan magnetik dengan anisotropi tegak lurus tinggi yaitu CoPtCr ditinjau sebagai <em>cell</em> memori pada sistem <em>Hard Disk Drive</em> (HDD). Penyelesaian persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert dalam program simulasi mikromagnetik digunakan untuk menghitung medan <em>switching</em> pada beragam modifikasi skema HAMR. Tiga skema modifikasi HAMR diusulkan berdasar pada pola penulisan data pada suhu tinggi (yaitu mendekati suhu Curie). Hasil simulasi memperlihatkan bahwa penulisan data pada medan konstan membutuhkan medan <em>switching</em> terendah. Selebihnya, fluktuasi medan <em>switching</em> akibat modifikasi efek panas relatif kecil dibandingkan dua skema lainnya. </p><p class="BasicParagraph"><em>The modification of Heat Assisted Magnetic Recording (HAMR) mechanism scheme i.e. the heat-assisted magnetization to reduce the switching field has been done.</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em><sub>{0></sub></em><em>Bahan magnetik dengan anisotropi tegaklurus tinggi yaitu CoPtCr ditinjau sebagai cell memori pada sistem Hard Disk Drive (HDD).</em><em><sub><}0{></sub></em><em>Magnetic meterial with high right-corner anisotropy i.e. CoPtCr has been reviewed as memory cell in a Hard Disk Drive (HDD) system.</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em><sub>{0></sub></em><em>Penyelesaian persamaan Landau-Lifshitz-Gilbert dalam program simulasi mikromagnetik digunakan untuk menghitung medan switching pada beragam modifikasi skema HAMR.</em><em><sub><}0{></sub></em><em>The completion Landau-Lifshitz-Gilbert equation in a micromagnetic simulation program is used to calculate tyhe switching field in various HAMR scheme modifications.</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em><sub>{0></sub></em><em>Tiga skema modifikasi HAMR diusulkan berdasar pada pola penulisan data pada suhu tinggi (yaitu mendekati suhu Curie).</em><em><sub><}0{></sub></em><em>Three HAMR scheme modifications is proposed based on data writing pattern at high temperature (i.e. close to Curie temperature).</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em><sub>{0></sub></em><em>Hasil simulasi memperlihatkan bahwa penulisan data pada medan konstan membutuhkan medan switching terendah.</em><em><sub><}0{></sub></em><em>Simulation result showed that data writing in a constant field needs lowest switching field.</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em><sub>{0></sub></em><em>Selebihnya, fluktuasi medan switching akibat modifikasi efek panas relatif kecil dibandingkan dua skema lainnya.<sub><}0{></sub></em><em>Moreover, switching field fluctuation caused by the modification of heat effect is the lowest compared to other schemes.</em><em><sub><0}</sub></em><em> </em><em></em></p>
|
|---|
