Diseño de Amplificadores de Mediana Potencia para Aplicaciones WiMax

Diseño de Amplificadores de Mediana Potencia para Aplicaciones WiMax

Los transistores HEMT's (High Electron Mobility Transistor) de potencia a base de Nitruro de Galio (GaN), son la clave para el diseño exitoso de amplificadores en la banda WiMax. Estos transistores ofrecen una alta eficiencia y linealidad, lo que los hace ideales para el diseño de amplificadore...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Liliana Cardoza, Everardo Inzunza, Rosa M. Lopez, Enrique E. Garcia, Jesús E. Olguin, Juan M. Hernandez
Format: Article
Language:Spanish
Published: International Institute of Informatics and Cybernetics 2009-06-01
Series:Revista de Sistemas, Cibernética e Informática
Subjects:
Gan
Modelado De Transistores
Amplificador De Potencia
Hemt's
Redes De Adaptación
Wimax
Online Access:http://www.iiisci.org/journal/CV$/risci/pdfs/GC906OD.pdf
Description
Summary:Los transistores HEMT's (High Electron Mobility Transistor) de potencia a base de Nitruro de Galio (GaN), son la clave para el diseño exitoso de amplificadores en la banda WiMax. Estos transistores ofrecen una alta eficiencia y linealidad, lo que los hace ideales para el diseño de amplificadores clase A y B, utilizados en las bandas de redes inalámbricas. Utilizando un transistor HEMT a base de GaN, en este trabajo se presenta el diseño y simulación de un amplificador clase A y B, el cual opera en la banda de 2.2 a 2.6 GHz.
ISSN:1690-8627

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