ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ

• Main Author: Mustafa SÖNMEZ
• Format: Article
• Language: English
• Published: Pamukkale University 1997-03-01
• Series: Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
• Subjects: Breakdown voltage; Switching devices; BJT transistor; Dayanma gerilimi; Anahtar elemanı; BJT transistör
• Online Access: http://dergipark.gov.tr/pajes/issue/20549/219004?publisher=pamukkale
• ISSN: 1300-7009; 2147-5881

Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir.