GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ
GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formu...
Main Authors: | Mustafa TEMİZ, Hakan ACER |
---|---|
Format: | Article |
Language: | English |
Published: |
Pamukkale University
1998-01-01
|
Series: | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
Subjects: | |
Online Access: | http://dergipark.gov.tr/pajes/issue/20544/218934?publisher=pamukkale |
Similar Items
-
GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ
by: Mustafa TEMİZ, et al.
Published: (1998-01-01) -
GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ
by: Mustafa TEMİZ, et al.
Published: (1998-01-01) -
GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ
by: Hakan Acer, et al.
Published: (1998-01-01) -
THE STUDY OF ELECTROMAGNETIC PROPAGATION CONSTANT ON GaAs-BASED LASERS
by: Mustafa TEMİZ, et al.
Published: (1998-01-01) -
GaAs TEKNOLOJİSİ
by: Mustafa TEMİZ
Published: (1995-02-01)