اثر دما بر چگالی جریان در ترانزیستور اثر مدانی نانونوار گرافینیی

• Main Authors: ترانه وظیفه شناس, هادی رحمانی نژاد, محمد براتی
• Format: Article
• Language: fas
• Published: Alzahra University 2013-11-01
• Series: فیزیک کاربردی ایران
• Subjects: نانو گرافینی; ترانزیستور اثر میدانی; ولتاژگیت; منحنی مشخصه ی جریان; ولتاژ; آثر دما
• Online Access: https://jap.alzahra.ac.ir/article_1201_16697155c41c68c547c8bf83320491ba.pdf
• ISSN: 2783-1043; 2783-1051

گرافین، به دلیل تحّرک ِالکترونی بالا و انعطاف‏پذیری، برای ساختِ قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهایی با عملکرد ِبالا در چند سال ِاخیر مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله ما اثر دما را بر چگالی جریان یک ترانزیستور اثرمیدانی نانو نوارگرافینی (GNRFET) بررسی می­کنیم که در آن کانال متشکل از آرایه­ای از نانو‏نوارهای گرافینی دسته صندلی می­باشددر این جا جریانالکتریکی را با استفاده از پتانسیل الکتروستاتیکی کمینه­ای که از حل تقریبی ِمعادله پواسون تقریبی با شرایط مرزی مناسب به دست می‌آید، در مقادیر ِمتفاوت ولتاژهای ِگیت بالا و پایین محاسبه می‌نماییم. نتایج ما نشان می­دهند اثر دما بر منحنی مشخصه­ جریان-ولتاژ به لحاظ ِکمّی قابل ِملاحظه است به طوری که با بالا رفتن دما، چگالی جریان بشدت افزایش یافته و این افزایش در دماهای بالاتر، بیشتر است. همچنین با افزایش ولتاژ گیت بالا و گیت پایین، شیب منحنی جریان برحسب دما تندتر می­باشد.     .