SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO

• Main Authors: Sujarwata Sujarwata, Putut Marwoto
• Format: Article
• Language: Indonesian
• Published: Universitas Negeri Semarang 2013-02-01
• Series: Sainteknol
• Subjects: deposisi, film tipis, channel, sensor gas, FET
• Online Access: http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/sainteknol/article/view/5578

Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 ?m untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 ?m. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS