تأثیر نانوسیلیکات پتاسیم بر رشد و عملکرد گیاه ذرت دانه ای (.Zea mays L) تحت تنش خشکی

به منظور بررسی تأثیر کود نانوسیلیکات پتاسیم بر گیاه ذرت در شرایط تنش خشکی آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح بلوک‌های کامل تصادفی و با سه تکرار انجام شد. فاکتور اول آزمایش تنش خشکی شامل سه سطح آبیاری مطلوب (30 میلی متر تبخیر از تشت تبخیر)، تنش متوسط (60 میلی متر تبخیر از تشت تبخیر) و شدید خشکی (90...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: پگاه آقایی, وریا ویسانی, مرجان دیانت
Format: Article
Language:fas
Published: University of Birjand 2021-06-01
Series:Environmental Stresses in Crop Sciences
Subjects:
Online Access:https://escs.birjand.ac.ir/article_1659_0938380733c9b1be1ed2fa3fa8c73c2e.pdf
Description
Summary:به منظور بررسی تأثیر کود نانوسیلیکات پتاسیم بر گیاه ذرت در شرایط تنش خشکی آزمایشی به صورت فاکتوریل در قالب طرح بلوک‌های کامل تصادفی و با سه تکرار انجام شد. فاکتور اول آزمایش تنش خشکی شامل سه سطح آبیاری مطلوب (30 میلی متر تبخیر از تشت تبخیر)، تنش متوسط (60 میلی متر تبخیر از تشت تبخیر) و شدید خشکی (90 میلی متر تبخیر از تشت تبخیر) و فاکتور دوم کود نانو سیلیکات پتاسیم در سطوح عدم مصرف (شاهد)، 1 و 2 در هزار بود. نتایج نشان داد که با افزایش شدت تنش خشکی ارتفاع بوته، وزن تر بوته، وزن خشک بوته، تعداد برگ در بوته، تعداد بلال در بوته، طول بلال، قطر بلال، تعداد ردیف در بلال، تعداد دانه در بلال، وزن چوب بلال، وزن بلال و وزن هزار دانه کاهش پیدا کرد و بیشترین کاهش در شرایط تنش شدید مشاهده گردید. کاربرد نانوسیلیکات پتاسیم موجب بهبود شاخص های مورفولوژیک ذرت گردید، به طوری که بیشترین ارتفاع بوته، وزن تر بوته، وزن خشک بوته، تعداد بلال در بوته، طول بلال، تعداد ردیف در بلال، وزن چوب بلال و وزن بلال در تیمار 2 در هزار نانوسیلیکات پتاسیم حاصل گردید. نتایج نشان داد که کاربرد کود نانوسیلیکات پتاسیم در شرایط آبیاری مطلوب و تنش خشکی از طریق فراهم کردن عناصر غذایی مورد نظر توانست موجب بهبود ارتفاع (19.8 درصد)، وزن خشک بوته (40 درصد) و و وزن هزار دانه (11 درصد) گردد. کود نانوسیلیکات پتاسیم می-تواند اثرات منفی ناشی از تنش خشکی را تا حد زیادی کاهش و تحمل گیاه به شرایط تنش خشکی را افزایش داده و در نتیجه بهبود عملکرد را در پی داشته باشد.
ISSN:2383-3084
2383-3084