ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ

ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ

Show other versions (3)

Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Mustafa Sönmez
Format: Article
Language:English
Published: Pamukkale University 1997-03-01
Series:Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
Subjects:
breakdown voltage
switching devices
bjt transistor
dayanma gerilimi
anahtar elemanı
bjt transistör
Online Access:https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20549/219004
id doaj-2cd7d414b99c46cb9f3a0d3c35746099
record_format Article
spelling doaj-2cd7d414b99c46cb9f3a0d3c357460992021-04-04T13:24:41ZengPamukkale UniversityPamukkale University Journal of Engineering Sciences1300-70092147-58811997-03-0133399403218ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİMustafa SönmezTransistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir.https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20549/219004breakdown voltage switching devices bjt transistordayanma gerilimi anahtar elemanı bjt transistör
collection DOAJ
language English
format Article
sources DOAJ
author Mustafa Sönmez
spellingShingle Mustafa Sönmez
ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
breakdown voltage
switching devices
bjt transistor
dayanma gerilimi
anahtar elemanı
bjt transistör
author_facet Mustafa Sönmez
author_sort Mustafa Sönmez
title ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
title_short ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
title_full ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
title_fullStr ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
title_full_unstemmed ANAHTAR ELEMANI OLARAK KULLANILAN BJT DEVRESİNDE ÇALIŞMA GERİLİMİNİN (DAYANMA GERİLİMİ) YÜKSELTİLMESİ
title_sort anahtar elemani olarak kullanilan bjt devresi̇nde çalişma geri̇li̇mi̇ni̇n (dayanma geri̇li̇mi̇) yükselti̇lmesi̇
publisher Pamukkale University
series Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
issn 1300-7009
2147-5881
publishDate 1997-03-01
description Transistör kullanılarak yapılan devre tasarımında transistörün elektriksel parametreleri dikkate alınmak durumundadır. Bu parametrelerden VCBO (Kollektör-Baz ters dayanma gerilimi) ise tasarımcıya engel oluşturan en önemli faktördür. Dayanma gerilimi 50 V olan transistör kullanılarak 80 V genliğinde, darbe şeklinde çıkış işareti almak normal koşullarda mümkün değildir. Bunun sebebi, çıkış işaret genliğinin besleme gerilimini aşamamasıdır. Bu çalışmada ortaya atılan ve hem deneysel hem de simülasyon yoluyla gerçekleştirilen yöntemle, besleme gerilimi transistörlerin dayanma geriliminin üstüne çıkarılarak istenilen genlikte çıkış işareti alınabilmektedir.
topic breakdown voltage
switching devices
bjt transistor
dayanma gerilimi
anahtar elemanı
bjt transistör
url https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20549/219004
work_keys_str_mv AT mustafasonmez anahtarelemaniolarakkullanilanbjtdevresindecalismageriliminindayanmagerilimiyukseltilmesi
_version_ 1721541882010402816

Similar Items