Fotovoltaik Uygulamalar için GLAD Tekniği ile Büyütülen Spiral Nano Şekilli a-Si İnce Filmlerin Elektriksel ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

• Main Author: Beyhan TATAR
• Format: Article
• Language: English
• Published: Suleyman Demirel University 2016-12-01
• Series: Süleyman Demirel Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
• Subjects: Şekilli ince filmler; Spiralnano şekilli ince film; GLAD tekniği; Heteroeklemler; Elektriksel ve fotovoltaik özellikler
• Online Access: http://dergipark.ulakbim.gov.tr/sdufenbed/article/view/5000203294

Spiral nano şekilli a-Si ince filmler c-Si altlıklar üzerine elektron demeti buharlaştırma sistemi içerisinde GLAD tekniği kullanılarak hazırlanmıştır. Spiral nano şekilli ince filmlerin yapısal özellikleri X-ışınları difraksiyonu (XRD) analizi ve Raman spektroskopi analizi ile belirlendi. Büyütülen spiral nano şekilli a-Si ince filmlerin yüzey ve arakesit morfolojileri Alan Emisyonlu Taramalı Elektron Mikroskobu (FE-SEM) ile incelendi. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin elektrik ve fotovoltaik özellikleri karanlık ve aydınlık şartlarda akım-gerilim ölçümleri ile incelendi. Bariyer yüksekliği Φ_B, ideallik faktörü ɳ, seri direnç R_s ve şant direnci R_sh gibi spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemlerin karanlık şartlardaki diyot parametreleri I-V karakteristiklerinden belirlendi ve sırasıyla 0,82 eV, 3,34, 1,9 kΩ ve 0,17 MΩ olarak bulundu. Spiral nano şekilli a-Si/c-Si heteroeklemler iyi bir fotovolataik davranış göstermiş ve açık devre gerilimi ve kısa devre akım yoğunluğu gibi fotovoltaik parametreleri sırasıyla V_oc=300mV ve J_sc=0,12 mA/cm² olarak elde edilmiştir.